Part саны | GRM55D7U2J473JW31L | IRF840PBF |
---|---|---|
Өндүрүүчү | Murata Electronics | Electro-Films (EFI) / Vishay |
баяндоо | CAP CER 0.047UF 630V U2J 2220 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB |
саны бар | 2606 | 13379 |
Datasheets | 1.GRM55D7U2J473JW31L.pdf2.GRM21BR71A225KA01L.pdf | 1.HFA08TB60PBF.pdf2.BSO203PHXUMA1.pdf |
Download | ||
Voltage - бааланган | 630V | |
чыдамкайлык | ±5% | |
Дизайнери (Max) | 0.087" (2.20mm) | |
Температура баасы | U2J | |
Көлөм / Dimension | 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm) | |
катар | GRM | HEXFET® |
Рейтинг | - | |
Топтом / Case | 2220 (5750 Metric) | TO-220-3 |
Пакет | Tape & Reel (TR) | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
монтаждык түрү | Surface Mount, MLCC | Through Hole |
коргошун Style | - | |
коргошун Spacing | - | |
Бийиктиги - Seated (Max) | - | |
Өзгөчөлүктөрү | - | |
Capacitance | 0.047 µF | |
Базалык өнүмдүн номери | GRM55D7U2J | |
Тиркемелер | General Purpose | |
VGS (ж) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
VGS (Max) | ±20V | |
технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
Камсыздоочу түзмөк Package | TO-220AB | |
RDS On (Max) @ ID, VGS | 850mOhm @ 4.8A, 10V | |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | |
Input Capacitance (МККС) (Max) @ VDS | 1300 pF @ 25 V | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ VGS | 63 nC @ 10 V | |
FET түрү | N-Channel | |
FET Feature | - | |
Drive Voltage (Max RDS жөнүндө, Min RDS жөнүндө) | 10V | |
Source Voltage улана (Vdss) | 500 V | |
Current - Continuous Drain (ID) 25 ° C @ | 8A (Tc) |
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966КОШУУ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Гонконг.