| IPN80R3K3P7ATMA1 | |
|---|---|
| Part саны | IPN80R3K3P7ATMA1 |
| Өндүрүүчү | Infineon Technologies |
| баяндоо | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
| саны бар | 14500 pcs new original in stock. Суроо Сток & Quotation |
| ECAD модели | |
| Datasheets | 1.IPN80R3K3P7ATMA1.pdf2.IPN80R3K3P7ATMA1.pdf |
| IPN80R3K3P7ATMA1 Price |
Өтүнүү Баа & Коргошун онлайн or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IPN80R3K3P7ATMA1 техникалык маалыматтар | |||
|---|---|---|---|
| Manufacturer Part саны | IPN80R3K3P7ATMA1 | Category | |
| Өндүрүүчү | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | баяндоо | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
| Топтом / Case | PG-SOT223 | саны бар | 14500 pcs |
| VGS (ж) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA | VGS (Max) | ±20V |
| технология | MOSFET (Metal Oxide) | Камсыздоочу түзмөк Package | PG-SOT223 |
| катар | CoolMOS™ P7 | RDS On (Max) @ ID, VGS | 3.3Ohm @ 590mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 6.1W (Tc) | Топтом / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Пакет | Tape & Reel (TR) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| монтаждык түрү | Surface Mount | Input Capacitance (МККС) (Max) @ VDS | 120 pF @ 500 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ VGS | 5.8 nC @ 10 V | FET түрү | N-Channel |
| FET Feature | - | Drive Voltage (Max RDS жөнүндө, Min RDS жөнүндө) | 10V |
| Source Voltage улана (Vdss) | 800 V | Current - Continuous Drain (ID) 25 ° C @ | 1.9A (Tc) |
| Базалык өнүмдүн номери | IPN80R3 | ||
| Download | IPN80R3K3P7ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Электрондук почта билдирүүсү: Info@Ariat-Tech.com же RFQ IPN80R3K3P7ATMA1 Online.
| IPN80R3K3P7ATMA1 биржа | IPN80R3K3P7ATMA1 Баасы | IPN80R3K3P7ATMA1 Электроника |
| IPN80R3K3P7ATMA1 Компоненттери | IPN80R3K3P7ATMA1 инвентаризация | IPN80R3K3P7ATMA1 Digikey |
| Жабдуучу IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Онлайнга заказ кылуу | Сурамжылоо IPN80R3K3P7ATMA1 |
| IPN80R3K3P7ATMA1 сүрөтү | IPN80R3K3P7ATMA1 Сүрөт | IPN80R3K3P7ATMA1 PDF |
| IPN80R3K3P7ATMA1 Datasheet | IPN80R3K3P7ATMA1 маалымат баракчасын жүктөп алыңыз | Өндүрүүчүсү Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
