| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part саны | SIR470DP-T1-GE3 |
| Өндүрүүчү | Vishay Siliconix |
| баяндоо | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| саны бар | 31246 pcs new original in stock. Суроо Сток & Quotation |
| ECAD модели | |
| Datasheets | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
Өтүнүү Баа & Коргошун онлайн or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIR470DP-T1-GE3 техникалык маалыматтар | |||
|---|---|---|---|
| Manufacturer Part саны | SIR470DP-T1-GE3 | Category | |
| Өндүрүүчү | Vishay / Siliconix | баяндоо | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Топтом / Case | PowerPAK® SO-8 | саны бар | 31246 pcs |
| VGS (ж) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | VGS (Max) | ±20V |
| технология | MOSFET (Metal Oxide) | Камсыздоочу түзмөк Package | PowerPAK® SO-8 |
| катар | TrenchFET® | RDS On (Max) @ ID, VGS | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Топтом / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Пакет | Tape & Reel (TR) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| монтаждык түрү | Surface Mount | Input Capacitance (МККС) (Max) @ VDS | 5660 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ VGS | 155 nC @ 10 V | FET түрү | N-Channel |
| FET Feature | - | Drive Voltage (Max RDS жөнүндө, Min RDS жөнүндө) | 4.5V, 10V |
| Source Voltage улана (Vdss) | 40 V | Current - Continuous Drain (ID) 25 ° C @ | 60A (Tc) |
| Базалык өнүмдүн номери | SIR470 | ||
| Download | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Электрондук почта билдирүүсү: Info@Ariat-Tech.com же RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online.
| SIR470DP-T1-GE3 биржа | SIR470DP-T1-GE3 Баасы | SIR470DP-T1-GE3 Электроника |
| SIR470DP-T1-GE3 Компоненттери | SIR470DP-T1-GE3 инвентаризация | SIR470DP-T1-GE3 Digikey |
| Жабдуучу SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Онлайнга заказ кылуу | Сурамжылоо SIR470DP-T1-GE3 |
| SIR470DP-T1-GE3 сүрөтү | SIR470DP-T1-GE3 Сүрөт | SIR470DP-T1-GE3 PDF |
| SIR470DP-T1-GE3 Datasheet | SIR470DP-T1-GE3 маалымат баракчасын жүктөп алыңыз | Өндүрүүчүсү Vishay / Siliconix |
